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MEMS G-Sensor 失效分析標準流程出臺

　　在先端科技的蓬勃發(fā)展下，MEMS組件已成為智能產(chǎn)品的主要核心。為降低企業(yè)投入MEMS開發(fā)時，因故有分析技術難以找出MEMS真正失效原因，iST集團-臺灣宜特近日宣布，成功建構出MEMS G-Sensor的標準失效分析流程。此流程亦被許多公司實際采用，目前全臺開發(fā)MEMS G-sensor的公司中，約達九成在iST宜特幫助下解決失效問題。
　　iST獨家研發(fā)的MEMS G-Sensor失效分析標準流程，更正式通過全球最具代表性，電子組件檢測失效分析技術研討會－ISTFA的認可，成為全臺第一家且是唯一一家擁有MEMS研究團隊的實驗室。
　　iST觀察發(fā)現(xiàn)，許多公司欲了解MEMS組件的失效狀況時，由于對其結構的認知度、掌握度不夠，因此以傳統(tǒng)方式做開蓋(De-cap)觀察，容易造成組件污染。此外，iST進一步指出，因組件為懸浮結構，以外力移除時易產(chǎn)生毀損。雙方影響下，容易造成組件污染和應力破壞，不但沒有找出真因，反而制造更多失效盲點。
　　為克服此問題，iST今年已成功開發(fā)出MEMS無污染的De-cap技術，結合無應力的組件移除技術，以非破壞方式保留結構原貌，避開機械應力和污染產(chǎn)生的非真因失效。目前已幫助三十多家MEMS設計、制造與封裝企業(yè)，對癥下藥地找出失效點并成功改善，搶攻市場先機。iST集團營運長 林正德指出，2007年預見此市場需求后即投入研發(fā)，全面布局MEMS等新興產(chǎn)品失效分析技術。這幾年在大量實務經(jīng)驗深耕下，更于今年建立出MEMS標準失效分析流程。